【プレスリリース】発表日:2026年04月21日高温時オン抵抗を約30%低減！ 第5世代SiC MOSFETを開発＜要旨＞ローム株式会社（本社 : ...

2022年1月1日に、「グローバル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET ...

日本原子力研究所（理事長 岡_ 俊雄）（以下「原研」）と独立行政法人 産業技術総合研究所（理事長 吉川 弘之）（以下「産総研」）は共同で、炭化ケイ素半導体を基板としたトランジスタ（半導体素子）を開発し、性能指標であるチャンネル移動度（電子 ...

電力は現代の電子設計における重要な側面であり、エンジニアは多様なデバイスを活用して、エネルギー効率に優れたコンパクトな電源回路を設計しています。こうしたデバイスには、簡素なダイオードなどのディスクリート部品から、高度な半導体 ...

Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...

筑波大学は、ディー・クルー・テクノロジーズ、東京工業大学と共同で、トランジスタ(MOSFET)の雑音を広い周波数帯域にわたって簡便に計測する技術を開発したと発表した。 成果は、同大 数理物質系 大毛利健治准教授らによるもの。詳細は、6月11日～13日に ...

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター【連携研究体長 横山 直樹】福田 浩一 研究員らは、トンネル ...

三菱電機は電力供給の切り替えなどに使うパワー半導体の大きさを4分の1にできる技術を開発した。炭化ケイ素で次世代型のトランジスタ「MOSFET」を作った。自動車や産業用機械など用途に合わせて量産技術を開発し、3～5年後の実用化を目指す。 開発した ...

ローム株式会社（本社：京都市）は、照明の小型電源やポンプ、モーターなどに最適で、小型SOT-223-3パッケージ（6.50mm×7.00mm×1.66mm）の600V耐圧Super Junction MOSFET(*1)「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」の5機種を開発しました。 新製品は、従来のTO-252 ...