東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、電気自動車（EV）の性能向上と航続距離の延長に貢献する高電力のSiC（炭化ケイ素）パワー･モジュール5製品を発表しました。これらの ...

ミネベアミツミは1月27日、同社の連結子会社ミネベアパワーデバイスとサンケン電気が白物家電を中心とした民生品ならびに産業品向けIPM(インテリジェントパワーモジュール)について、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで ...

富士電機は、パワー半導体事業の強化に向けて、素子やモジュールの新技術開発を加速させている。現行製品に比べて損失を低減したシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）のパワー素子を搭載したモジュール製品を2025年ごろから順次量産する予定だ。新たな ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

electronicaで、パワー変換とモータ制御向けに、最新のインテリジェント・パワーモジュール、MOSFET、IGBT、統合型モータードライバとともに、新しいパワーインテグレーテッドモジュールのデモを実施 高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミ ...

新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵 SiC-MOSFET の適用を実現 特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避 ＊図1は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、サンプル提供を5月31日に開始した鉄道車両 ...

本調査におけるパワーモジュールとは、電力変換で使われるパワー半導体のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードを複数個実装し、専用ケースに封入したIGBT モジュールや、IGBT モジュールなどに過電流や過熱などの保護回路を内蔵したIPM（Intelligent ...

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバルフルSiCパワーモジュールのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を5月15日に発行しました。本レポートでは、フルSiCパワーモジュール市場の製品定義、分類、用途、企業、産業 ...

Realized motor drive by power module with built-in SiC CMOS gate driver The unique gate drive method reduces noise and contributes to improved reliability of the motor system. Energy loss during ...