Realized motor drive by power module with built-in SiC CMOS gate driver The unique gate drive method reduces noise and contributes to improved reliability of the motor system. Energy loss during ...

東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

レゾナックは1月17日、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」と、これをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、栃木・小山事業所内に「パワーモジュールインテグレーションセンター」（PMiC）を本格始動させると発表した。

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多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、電気自動車（EV）の性能向上と航続距離の延長に貢献する高電力のSiC（炭化ケイ素）パワー･モジュール5製品を発表しました。これらの ...

ミネベアミツミは1月27日、同社の連結子会社ミネベアパワーデバイスとサンケン電気が白物家電を中心とした民生品ならびに産業品向けIPM(インテリジェントパワーモジュール)について、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで ...

富士電機は、パワー半導体事業の強化に向けて、素子やモジュールの新技術開発を加速させている。現行製品に比べて損失を低減したシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）のパワー素子を搭載したモジュール製品を2025年ごろから順次量産する予定だ。新たな ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵 SiC-MOSFET の適用を実現 特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避 ＊図1は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、サンプル提供を5月31日に開始した鉄道車両 ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

2022年07月07日に、QYResearchは「グローバルSiCパワーモジュールに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。SiCパワーモジュールの市場生産能力、生産量、販売量、売上 ...

新たな分析によると、NuScale Power Module™は電気出力を77 MWeに向上可能 （米オレゴン州ポートランド）-（ビジネスワイヤ） -- ニュースケール・パワーは本日、高度なテストおよびモデリングツールを使用したバリュー・エンジニアリングのさらなる取り組み ...