Micron Technologyが次世代(第4世代)の3D NANDフラッシュの開発では、現行世代(第3世代)まで採用していた浮遊ゲート(フローティングゲート)方式のメモリセルではなく、電荷捕獲(チャージトラップ)方式のメモリセルを採用することを明らかにした。2018年8月7日に ...

3D V-NANDを実現した3つのイノベーション キーヒュン・キョン氏によれば、3D V-NANDのコンセプトはシンプルだが、実用化への道のりは決して平坦ではなく、長年の研究開発の積み重ねによって実現できたことだという。 一戸建てと高層マンションでは、異なる ...

最大手NANDフラッシュメモリベンダーであり、最大手のSSDベンダーでもあるSamsung Electronicsが、高速SSD技術「Z-SSD」と専用NANDフラッシュメモリ技術「Z-NAND」技術の内容を一部、明らかにした。 この2月(2018年2月)に米国サンフランシスコで開催された国際学会 ...