東京大学は12月6日、三菱電機、東芝デバイス＆ストレージ、東京工業大学、明治大学、九州大学、九州工業大学と共同で、基板の裏面にもMOSゲート部を有する「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」(IGBT)を両面リソグラフィプロセスを用いて試作 ...

半導体デバイスの信頼性技術に関する世界最大の国際会議「国際信頼性物理シンポジウム(IRPS:International Reliability Physics Symposium)」(IRPS 2015)が4月19日に米国カリフォルニア州モントレーで始まった。メインイベントである技術講演の会期は4月21日～23日、会場は ...

東北大学(東北大)は、GeチャネルMOSトランジスタの製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成に、無損傷で低温酸化が実現できる中性粒子ビーム酸化プロセスを用いて、2.0nm以下の極薄高品質Ge酸化膜の直接形成を実現し、電気的にMOSトランジスタ界面が超低 ...

The National Institute for Advanced Industrial Science and Technology (AIST, President: Hiroyuki Yoshikawa) and Tohoku University (President: Takashi Yoshimoto) have succeeded in manufacturing a ...

ラピダスがGAAトランジスタを試作した300mmウェーハ出典：ラピダス 日本にラピダスというファウンドリ企業ができて、ようやく半導体産業に活気が戻りつつある。いきなり2nmプロセスノードに相当するGAA（ゲートオールアラウンド）構造のMOSトランジスタで ...

－電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）次世代半導体研究センター【センター長 廣瀬 全孝】と技術研究組合 超先端電子技術開発機構【理事長 西田 厚聰 ...

東京大学は、従来のトランジスタと比べて極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、従来のトランジスタとほぼ同等の構造で高い性能を有する。新しい ...

情報通信研究機構（NICT）は、タムラ製作所（東京都）、光波（東京都）と共同で、新しいワイドギャップ半導体材料である酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた実用性に優れた「MOSトランジスタ」の開発に世界に先駆けて成功した。 このトランジスタは、イオン ...