SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発 当社は、当社グループが強みを有するパワー半導体分野において、次世代デバイスであるSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を ...

1種類目は、SiCパワー半導体の高効率・高速スイッチングの特性を最大限に引き出しつつノイズの発生を抑えるための技術である「フィードバック型アクティブゲートドライバー」。独自のフィードバック機能を搭載したゲートドライバーで最適な波形を生成 ...

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。 MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なる ...

持続可能な社会と安全な暮らしを支える工業技術を提供するグローバル企業リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人Littelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、車載用規格ローサイドゲートドライバ ...

グローバル市場調査レポート出版社であるGlobaI Info Researchがリリースされました「ステッピングモーターゲートドライバーの世界市場2025年：メーカー、地域別、タイプ、用途別、2031年までの予測」レポートには、世界市場、主要地域、主要国における ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲート･ドライバ「STGAP4S」を発表しました。これは、さまざまな電力定格のインバータを柔軟に制御でき、ISO 26262 ASIL Dへの認定を可能にする ...

東芝は、次世代パワー半導体のSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を開発したと発表した。本技術により、EV用インバーターやデータセンター向け電源システムの高効率化・小型化を実現する。 SiCデバイスは ...

当社は、当社グループが強みを有するパワー半導体分野において、次世代デバイスであるSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を開発しました。本技術により、SiCデバイスの高効率化・小型化および信頼性向上を ...

高耐圧GaNデバイスの駆動に最適な絶縁ゲートドライバICの量産を開始 ローム株式会社（本社 : 京都市）は、600Vクラスの高 ...

東芝：大電流駆動対応の車載ブラシ付きDCモーター用ブリッジ回路向けゲートドライバー「TB9104FTG」 東芝：大電流駆動対応の車載ブラシ付きDCモーター用ブリッジ回路向けゲートドライバー「TB9104FTG」 東芝：大電流駆動対応の車載ブラシ付きDCモーター用 ...